目前，无锡利普思的核心产品包括SiC和IGBT两个品类。

创业邦获悉，4月1日，高性能SiC（碳化硅）模块厂家无锡利普思半导体有限公司宣布完成数千万人民币A+轮融资，由联新资本、软银中国投资。这笔资金规划将主要用于增加研发力量，并加大电动汽车市场推广的力度。

无锡利普思半导体有限公司成立于2019年11月，总部位于无锡市滨湖区，是一家功率半导体模块封装设计生产商。公司致力于高功率密度碳化硅模块的研发与生产，同时在日本熊谷设立研发中心。

公司主要产品是应用于新能源汽车、充电桩、工业电机驱动、光伏逆变、医疗器械等场景的IGBT模块和SiC模块。能独立设计IGBT/SIC，MOSFET模块和IPM模块产品，并且和日本的功率模块的封装厂建立了合作关系。

团队方面，团队成员的在三菱、东芝、三洋等功率半导体等的核心部门长期工作经验，熟悉功率半导体市场、产品、技术。无锡利普思半导体创始人梁小广，上海交通大学研究生毕业，2004年毕业后就出国加入日本三菱电机功率半导体事业部。其间成功完成数款世界领先的功率器件。后在全球领先的汽车零部件一级供应商采埃孚从事第三代功率半导体（SiC）的模块封装技术研究，并取得多项发明专利。联合创始人丁烜明研究生毕业于上海大学电机与电器专业，曾任上海电驱动事业部总监，熟悉功率模块市场和应用，以及OEM的供应链配套和质量体系要求。

目前，无锡利普思的核心产品包括SiC和IGBT两个品类。公司应用于充电桩、工业变频器、商用车等方面的IGBT模块，以及电动重卡、氢燃料电池商用车和光伏的SiC模块已在2021年实现批量生产。

此外，生产方面，公司位于日本的封装代工厂已于今年正式投入运营，主要满足对品质要求更高的当前部分海外市场需求。

今年，无锡利普思将在欧洲设立新的据点，积极扩展欧洲市场。今年在德国纽伦堡举办的PCIM展会，无锡利普思将全面展出全系列的高性能SiC模块。

联新资本执行董事史君：“联新资本看好双碳背景下，能源结构调整驱动的汽车、电力等产业的系统性变革机会。碳化硅SiC作为其中的核心技术和关键要素，战略地位显著且潜在市场规模巨大。利普思的核心团队拥有中日两国大厂背景，在功率半导体领域有数十年实战经验，真正掌握材料、工艺、设计、验证等正向开发体系，这在国内非常稀缺。联新期待与利普思携手相伴，共同为SiC产业链的发展贡献一份力量。”

软银中国资本执行董事郭斌博士：“封装模块作为SiC产品的主要应用载体，属于SiC产业价值最先释放的关键环节，然而国内专注且精通于此的企业较为罕见。利普思汇聚一支在功率半导体领域深耕多年的国际化资深专家团队，具备在车规级功率模组较强的系统化技术开发与产品迭代能力。我们坚信利普思有极大潜力成为引领中国SiC产业化落地的佼佼者，软银中国也会利用自身丰富产业资源，为公司持续赋能。”

附

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