可年产150mm氮化镓外延片2万片。

创业邦获悉，3月3日，苏州晶湛半导体有限公司（以下简称：晶湛半导体）宣布完成数亿元B+轮战略融资，本轮融资由歌尔微电子领投，高瓴创投、惠友资本、创新工场、禾创致远、共青城军合、无限基金、三七互娱、中信证券等跟投，老股东元禾控股、湖杉资本等继续加码。

本次B+轮战略融资将主要用于晶湛半导体总部和研发中心建设，项目达产后晶湛半导体将建成氮化镓电力电子、射频电子以及微显示材料研发生产基地，推动晶湛半导体进入新的发展阶段。

苏州晶湛半导体有限公司致力于为微波射频和电力电子器件应用领域提供高品质氮化镓外延材料。公司成立于2012年3月，坐落于江苏省苏州工业园区纳米城。2013年8月，晶湛开始在苏州纳米城建设GaN外延材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2万片。

晶湛半导体高度重视自主研发和核心知识产权工作，在氮化镓外延领域已掌握多项核心技术, 拥有完全独立的自主知识产权，晶湛半导体目前已在国内外累计申请近400项专利，其中已获得超100项专利授权。公司还先后荣获苏州市技术发明一等奖、苏州工业园区专利授权十佳企业、苏州工业园区知识产权高质量创造奖、江苏省百件优质发明专利、江苏省高质量发明专利、苏州市优秀专利奖、国家高新技术企业、苏州市独角兽培育企业、 苏州市企业工程技术研究中心等一系列资质和荣誉。

创新工场执行董事熊昊表示，氮化镓（GaN）在功率、射频、光电领域有广泛的落地场景，尤其在高频和高功率领域应用效果特别出色，更可广泛渗透和推动通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等产业迭代升级，是智能制造不可或缺的关键核心器件。未来氮化镓在各领域的渗透率将快速提升，市场前景广阔。晶湛半导体拥有全球领先的学术和产业化经验，是全球最早，也是最头部的氮化镓外延技术公司之一。我们相信，在程凯博士的带领下，晶湛半导体将持续引领技术的进步，通过整合上下游的资源，在功率、射频和微显示等终端应用爆发增长的浪潮中，成为产业链上核心的氮化镓器件和材料供应商。

附

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